上海超威纳米科技有限公司

纳米金属粉、纳米氧化物粉、纳米碳化物粉、纳米氮化物粉、纳米硼化物粉等

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    纳米金属粉、纳米氧化物粉、纳米碳化物粉、纳米氮化物粉、纳米硼化物粉等

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上海纳米氧化铟锡粉-纳米氧化物粉体厂家供应-上海超威纳米
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产品: 浏览次数:24上海纳米氧化铟锡粉-纳米氧化物粉体厂家供应-上海超威纳米 
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最后更新: 2020-06-29 23:18
 
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详细信息

纳米氧化铟锡粉-纳米氧化物粉体
纳米氧化铟锡粉-纳米氧化物粉体13918946092

技术参数

产品归类

型号

平均粒径(nm)

纯度

(%)

比表面积

(m2/g)

体积密度

(g/cm3)

晶型

颜色

纳米级

CW-ITO-001

30

99.99

82

0.60

近球形

黄色/蓝色

加工定制

根据客户需求适当调整产品纯度及粒度

主要特点

通过高频等离子体气相燃烧法制备的ITO纳米超细粉体,产品纯度高,松装密度低(比国内同类产品低40%),很容易分散成稳定的纳米浆料。纳米ITO粉具有很好的导电性和透明性,可以切断对人体有害的电子辐射,紫外线及远红外线。因此,喷涂在玻璃,塑料及电子显示屏上后,在增强导电性和透明性的同时切断对人体有害的电子辐射及紫外、红外线IR和静电屏蔽涂料及防伪墨水等。纳米氧化铟锡粉是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡,纳米ITO粉薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜,通常有两个性能指标:电阻率和透光率。在氧化物导电膜中,以掺Sn的In2O3(ITO)膜的透过率高和导电性能好,而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形.其中透过率以达90%以上,纳米ITO粉中其透过率和阻值分别由In2O3与Sn2O3之比例来控制,通常Sn2O3:In2O3=1:9。

纳米ITO粉电镜图谱

纳米ITO氧化铟锡粉电镜图谱

应用领域
高纯ITO微粉是一种多功能导电材料,它具有高导电性,浅色透明性,耐侯性,抗辐射性等众多优良特性,主要用于抗静电塑料、涂料、纤维,显示器用防辐射涂层,建筑用节能视窗,太阳能电池,汽车风挡等;
高纯ITO微粉中文名为氧化铟锡,可作优良隔热粉、纳米导电粉(抗静电粉)使用。其良好隔热性能,被应用于涂料、化纤、高分子膜等领域;

此外作为纳米导电粉在导电材料,在分散性、耐活性、热塑性、耐磨性、有着其他导电材料(如石墨、表面活性剂、金属粉等)无法比拟的优势。被应用于光电显示器件、透明电极、太阳能电池、液晶显示、催化等方面。纳米ATO粉(锑掺杂的二氧化锡)是一类新型浅色透明导电粉。它利用 或 (锑)掺杂取代 (锡)形成缺陷固融体时所形成的氧空位或电子作为载流子导电的,其导电性不受环境干湿度的影响,避免了有机抗静电剂对环境依赖性的缺点。

纳米氧化铟锡ITO粉XRD图谱

纳米氧化铟锡ITO粉XRD图谱

技术支持
提供纳米氧化铟锡粉ITO在隔热涂料、导电材料中的应用技术支持,具体应用咨询请与销售部人员联系。
包装储存
本品为惰气包装,应密封保存于干燥、阴凉的环境中,不宜长久暴露于空气中,防受潮发生团聚,影响分散性能和使用效果。










固体所在构筑异质复杂一维纳米结构方法上取得进展

与单一材料的一维纳米结构相比,由异质材料组成的复杂形貌一维纳米结构,具有更多的功能与更好的性能。这种异质复杂一维纳米结构在各种纳米器件与多功能复杂系统中具有广泛的应用前景。此前,人们根据高纯铝在阳极氧化过程中所形成孔的直径与阳极氧化电压成正比的关系,采用在阳极氧化过程中降低电压、化学气相沉积等方法,制备了具有多代分支结构的碳纳米管(PNAS 102, 7074 (2005))。
最近,中科院合肥物质科学研究院固体所孟国文小组在用模板法构筑多代分支形貌的晶态硅纳米管、晶态硅纳米管与金纳米线组成的分支形貌的异质纳米结构、以氧化铝为壳层的纳米电缆等异质复杂一维纳米结构方面取得新进展。
硅是现代半导体工业的核心材料,硅纳米管与硅基半导体技术完全兼容,在传感器、晶体管、储氢、光电器件等方面有广泛的应用前景。硅原子比碳原子更倾向于形成sp3杂化(碳原子之间通常形成sp、sp2和sp3杂化)。实验中一般容易获得硅纳米线,而很难获得硅纳米管。该组陈本松、许巧玲博士用具有多代分支形貌孔的氧化铝模板法构筑了具有相应几何形貌的硅纳米管。经过大量摸索试验,在不使用任何催化剂的条件下,通过调节化学气相沉积过程中的各种工艺参数,利用氧化铝模板孔道的几何形貌限域作用与自催化作用,获得了与氧化铝模板孔形貌完全一致的多代分支形貌的非晶硅纳米管。为了提高非晶态硅纳米管的结晶性,科研人员采用后续退火处理的方法将非晶硅纳米管转化为晶态硅纳米管,从而获得了具有多代分支形貌的高纯度晶态硅纳米管,相关论文发表在Adv. Funct. Mater. 20, 3791(2010)。在此基础上,该小组采用以前合成由碳管与可电沉积材料纳米线组成的分支形貌异质纳米结构的类似方法(详见Meng, et al. Angew. Chem. Int. Ed. 48,7166(2009)),成功地构筑了由晶态硅纳米管与金纳米线组成的分支形貌异质纳米结构(见图1所示),相关论文发表在ACS NANO 4,7105-7112 (2010)。
纳米电缆属于一维纳米结构中的径向异质结构,在纳米电子学领域有广泛的应用前景。该小组杨大驰博士此前发明了“一种合成由两种可电沉积材料组成的纳米电缆的通用方法”(详见Appl. Phys. Lett. 92,083109(2008))。如果纳米电缆的壳层为氧化物绝缘体,则壳层可以作为芯部的保护层、绝缘层及场效应晶体管的栅极氧化物等。
最近,科研人员发明了一种合成以氧化铝绝缘体为壳层的纳米电缆的普适方法。这些纳米电缆“芯部”的纳米线和纳米管的材料可以是金属、金属氧化物、导电聚合物、化合物半导体以及单质碳、硅和锗等。相关论文作为“卷首插画论文”发表在Angew. Chem.Int. Ed. 50, 2036-2040 (2011)。此前,人们已经报道了几种合成以氧化硅和氧化铝为绝缘层的纳米电缆的方法,然而,却不能对纳米电缆的芯部材料种类及其结构进行有效调控。而对芯部材料种类和结构的控制,对构筑具有各种功能的纳米器件和系统具有重要的意义。
相关工作得到中科院、国家基金委和科技部等资助。


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